Homray Semiconductor Technology

Alternativas Infineon FD600R06ME3-S2 fabricante China IGBT transistor

Como proveedor y fábrica profesional de módulos IGBT, probamos alternativas Infineon FD600R06ME3-S2 y otros infineon o Fuji IGBT reemplazaron el tipo a un precio competitivo. contáctenos hoy y obtenga un archivo PDF detallado, garantía de calidad.

Aplicaciones
Controladores de motor
Amplificador de servoaccionamiento de CA y CC
UPS (Fuentes de alimentación ininterrumpida)

Homray Semiconductor Technology proporciona módulos de potencia IGBT de Si(silicio). Puede reemplazar el módulo Infineon IGBT FP10R12W1T4, etc. Nuestro módulo IGBT se divide en un rango de corriente de potencia pequeña de 8A ~ 200A, rango de corriente de potencia media de 25A ~ 600A y rango de corriente de alta potencia de 200A ~ 3600A.